納微半導體推出新型 GaN 和 SiC 晶片，搶攻 800V AI 資料中心電源系統（最高每機架 30 千瓦）

納微半導體押注 AI 資料中心轉向 800 伏特電源架構，將帶動其氮化鎵與碳化矽晶片需求。

該公司表示，隨著電源供應單元從 5-10 千瓦提升至超大規模資料中心所需的最高 30 千瓦，轉向 800V 電源系統使每個 AI 機架中的 GaN 與 SiC 含量增加多達 2.5 倍。

「更高電壓的架構可降低電流消耗與電阻損耗，實現更密集的伺服器配置，」納微管理層表示，並指出第一季 AI 基礎設施營收季增 50%。

納微在第一季推出了一個 20 千瓦、800V 轉 6V 的 GaN 平台，以及新的第五代 SiC 產品，目前正由 OEM 廠和電源供應商進行測試。整體營收季增 18%，主要由高功率市場帶動。多個專案已從元件級測試推進到電路板級測試。

AI 資料中心電源市場競爭日益激烈。安森美半導體在六月推出 GaNEXUS 產品組合，同樣瞄準高電壓應用，提供 40V 至 650V 的 FET。Wolfspeed 於 7 月 8 日對納微提起專利侵權訴訟，指控其侵犯 GaN 與 SiC 專利。訴訟當日，納微股價下跌 8.14%，收於 13.99 美元。

AI 資料中心的 800V 機會

轉向 800V 架構解決了 AI 基礎設施中的一個根本限制：電力傳輸。傳統 480V 電源系統在超大規模資料中心目前所需的每機架 25-30 千瓦下，效率不足。較高電壓可降低電流消耗與電阻損耗，實現更密集的伺服器配置。對納微而言，這意味著每個系統中的 GaN 與 SiC 含量增加——GaN 用於機架內部的高頻電源轉換，SiC 則用於電源供應單元層級的高壓交流-直流轉換。該公司預期，隨著功率等級提升，每個機架的 SiC 含量將增加約 2.5 倍。

競爭與法律風險升溫

在競相為 AI 資料中心提供高電壓解決方案的過程中，納微面臨來自安森美半導體與意法半導體的激烈競爭。安森美在六月推出的 GaNEXUS 產品組合，包含額定電壓範圍從 40V 至 650V 並具內建保護功能的元件。該新產品組合號稱具有比傳統矽基功率元件更快的切換速度與更低的切換損耗。Wolfspeed 向北卡羅來納州西區美國聯邦地方法院提起的訴訟，指控其侵犯多項涵蓋 GaN 與 SiC 技術的專利。納微已稱這些指控「毫無根據」，並表示預期將勝訴。

納微股價目前約為過去營收的 4.5 倍，既反映成長機會，也反映風險。該公司的 AI 基礎設施營收在第一季季增 50%，顯示產品初步獲得市場青睞。但隨著安森美與意法半導體大舉投資 GaN 與 SiC，加上專利爭議已浮上檯面，要抓住 800V 機會的道路上仍存在執行面與法律面的風險。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。