摩根士丹利點名存儲轉向：2026年DRAM表現將優於NAND

存儲超級週期仍在持續，但無差別上漲的階段即將結束，摩根士丹利敦促投資人偏好DRAM勝於NAND，以及原廠製造商勝於模組廠。

摩根士丹利告知客戶，存儲週期依然有利，但交易策略已不再一致，隨著消費性產品價格觸頂，該行建議偏好DRAM勝於NAND，以及原廠製造商勝於模組廠。

「與AI相關的NAND需求將在2027年實現年增60%，但伺服器與消費性領域之間的定價動能已出現嚴重分歧，」摩根士丹利分析師在7月2日的一份全球科技研究報告中寫道。

該行更新的供需模型顯示，2026年全球NAND供應存在15%的缺口，2027年則為9%的缺口。AI需求預計將從2025年佔NAND總消耗量的18%，上升至2027年的41%，達到609 EB（艾位元組）。企業級SSD的NAND價格在第三季較上季上漲30%，而消費級NAND僅錄得小幅增長。模組廠庫存攀升，經銷商也回報消費性記憶體庫存處於高位。

這種分歧至關重要，因為存儲板塊一直是半導體市場中表現最佳的領域之一——SanDisk在2026年上半年便飆漲了858%。如果消費性產品定價已觸頂，而模組廠又面臨利潤壓縮，那麼週期的下一階段將獎勵選擇性佈局，而非廣泛曝險。

AI需求與消費性疲軟出現分歧

該行的模型預測，2027年NAND總需求量將達到1484 EB，高於2025年的1111 EB；同時供應量預計將達到1347 EB，形成9%的缺口。然而，短缺主要集中在伺服器和AI產品。消費性NAND需求則面臨逆風：智慧型手機和PC客戶在第二季價格上漲後已開始削減訂單，而在週期低谷期間建立低成本庫存的模組廠，如今正看著這些緩衝庫存逐漸耗盡。

長期協議正在重塑定價機制。這類合約通常包含價格地板和天花板，在保護原廠製造商利潤的同時，也限制了進一步上漲的空間。客戶展現出更強烈的意願，願意為DRAM的供應承諾支付溢價；而NAND的漲價則遭遇來自成本敏感的消費性電子買家的阻力。

為何DRAM勝過NAND

摩根士丹利提出四項偏愛DRAM的理由。第一，DRAM長期協議條款更為有利，客戶更願意為供應保障支付溢價。第二，在AI運算和伺服器換機週期的帶動下，需求能見度更高。第三，供應紀律更加嚴謹——極紫外光微影技術的限制制約了DRAM晶圓廠擴充產能的速度。第四，下一代高頻寬記憶體HBM4E的潛在量產，可能排擠現有DRAM產能，進一步收緊供應。

在NAND領域，該行偏好原廠製造商勝於模組廠。傳統週期往往獎勵那些在低谷囤積廉價庫存、並在景氣回升時釋出的模組廠。但在AI驅動的短缺可能透過長期協議持續三到五年的情況下，該模式正面臨結構性壓力。原廠製造商掌控供應分配，並將更多產能導向超大規模雲端客戶，限制了模組廠進入企業級SSD和AI存儲市場的機會。亞洲的SSD模組廠僅有10%至20%的營收來自企業級SSD，使其暴露於消費性市場疲軟的風險之中。

該報告指出三項風險：首先，AI資本支出放緩將是最大的宏觀威脅；其次，消費性市場持續疲軟可能侵蝕NAND廣泛漲價的論述；第三，若新晶圓產能上線速度快於需求，2028年可能出現供應過剩。反之，若新的AI推論SSD產品進入量產——其消耗的產能約為標準SSD的三倍——供應可能進一步收緊。SanDisk、美光科技、三星電子和SK海力士是DRAM及NAND原廠製造商偏好策略下的主要受益者，而亞洲模組廠則面臨最大的結構性風險。

本文僅供參考，不構成投資建議。