美光記憶體晶片短缺持續，股價飆破1,100美元

分析師指出，推動美光創紀錄營收的記憶體晶片短缺，在2028年前恐無緩解跡象。

美光科技押注人工智慧所需的高頻寬記憶體，如今正開花結果。這家總部位於愛達荷州的晶片製造商預測，其第三財季營收將達到約335億美元，創下歷史新高，較前一季的238.6億美元成長40%，而前一季的營收本身已較去年同期翻了近三倍。

美光在第二財季的準備文件中表示：「我們預期，2026日曆年度DRAM及NAND產業的位元需求都將受到供給限制。」該公司並補充，緊縮的狀況在今年之後仍將持續。

該公司股價在2026年內已飆升約285%，漲逾兩倍，交易價格約在1,134美元，市值接近1.3兆美元。美光預測，截至5月28日的季度調整後毛利率約達81%（創紀錄），每股盈餘約為19.15美元。該公司將於6月24日收盤後公布業績。

供需失衡的根源直接來自AI。每一代輝達的圖形處理器都需要更多記憶體，而最先進的類型——高頻寬記憶體（HBM）——每單位位元所消耗的晶圓廠產能遠高於標準DRAM。隨著美光將生產轉向輝達Vera Rubin平台所需的HBM，它從用於筆記型電腦和伺服器的標準記憶體中抽調產能，從而全面推高了價格。

供給緊張將持續至2028年

摩根大通預期，DRAM的基礎性短缺將持續到2028年，NAND快閃記憶體的短缺則至少會持續到明年。市場研究機構Omdia預測，今年三大記憶體製造商——三星電子、SK海力士和美光——的DRAM晶圓產量將達1,842萬片，較去年成長6.1%，但低於2025年的7.4%增幅。增速放緩反映出產業在經歷上一次低迷後，對新增投資採取了較為謹慎的態度。

美光已就其2026日曆年度全部的HBM供應完成價格和數量協議。該公司正斥資數百億美元在愛達荷州和紐約州興建新工廠，但這些設施最快要到2027年底才能增加實質性產能。愛達荷州的第一座晶圓廠預計將在2027年日中左右開始初步投產，而紐約州的第一座晶圓廠則要到2030年及之後才能供貨。

AI基礎設施支出維持榮景

需求面絲毫未見降溫。美國國家經濟研究局預測，五大科技公司——谷歌、微軟、Meta、亞馬遜和甲骨文——的年度AI基礎設施支出，將從2025年的3,810億美元，增至明年的1.09兆美元。牛津馬丁AI治理倡議預測，全球AI市場到2033年將達到4.8兆美元，規模約與德國經濟總量相當。

受惠的不僅是美光。另外兩大記憶體主導廠商三星電子和SK海力士，預計今年合計營業利益約達620兆韓元，明年更將達到830兆韓元——後者已超過南韓的整個追加預算規模。利潤集中於半導體產業，引發了對南韓經濟兩極化的擔憂，政府被敦促應更廣泛地分配晶片產業的收益。

對投資人而言，問題在於美光的估值能否維持當前的漲勢。該股目前的本益比超過50倍，對於一家業務歷來具週期性的記憶體製造商來說，這是一個很高的倍數。然而，鑑於該公司僅單季每股盈餘就預估達到19.15美元——遠高於前一季的12.20美元——只要景氣循環得以維持，其遠期本益比看起來就遠沒有那麼苛刻。任何需求或價格疲軟的跡象，都可能引發劇烈修正，因為市場已經反映了過多的樂觀預期。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。