美光受惠AI晶片HBM搭載量攀升 目標2027年全球記憶體市場1.3兆美元商機

隨著AI模型規模日益擴大，晶片製造商在每台伺服器中搭載更多高頻寬記憶體，為美光科技創造了超越AI伺服器出貨量本身的結構性需求驅動力。

「目前的DRAM上升週期已持續12季，超越2014年與2018年各約八至九季的循環週期，」加拿大皇家銀行資本市場分析師在一份報告中指出，並將美光的目標價從525美元上調至1,200美元。該機構預期，在供給成長持續受限的情況下，此輪週期還將延續五至六季。

美光已開始針對新AI平台量產出貨HBM4，並正推進HBM4E的開發，計畫於2027年進入量產爬坡階段。該公司2026年全年的HBM產能已全數售罄，隨著AI資本支出持續加速，DRAM短缺預期將延續至2027年之後。2026會計年度第二季，營收較去年同期暴增196%，達239億美元，受惠於DRAM、NAND與HBM銷售均創歷史新高。第三季毛利率預估約為81%。

美光目前交易於預期本益比9.7倍，相較那斯達克綜合指數的25.5倍呈現大幅折價，反映記憶體產業過去景氣循環劇烈的特性。若市場重新將美光定位為AI結構性受益者，而非週期性大宗商品，本益比差距可望顯著收窄。根據TrendForce預測，全球記憶體市場規模將於2027年達到1.3兆美元，其中DRAM營收今年將成長303%，達到6,190億美元。

HBM晶片搭載量重塑需求方程式

每顆AI加速器搭載的記憶體密度持續提升，是支撐美光多頭論述的結構性依據。AI訓練與推論工作負載需要極大頻寬，傳統記憶體方案無法有效滿足。HBM直接與伺服器中的GPU叢集層層堆疊，實現低延遲數據傳輸，對大型語言模型及其他高運算密集型應用至關重要。

美光、三星與SK海力士是目前全球僅有的三家HBM製造商。與過去記憶體週期中現貨價格主導波動性的模式不同，美光已與超大規模雲端業者簽訂多年供貨協議，鎖定出貨量與價格。RBC指出，這些合約應能減輕記憶體市場過去因景氣劇烈波動而備受困擾的暴漲暴跌特性。

供給面則強化了定價邏輯。無塵室產能有限、DRAM產線持續轉換為HBM生產，以及超大規模雲端業者強勁的資本支出趨勢，均指向供給持續吃緊。RBC引用這些因素，認為此輪上升週期將長於歷史平均水準，短期內幾乎沒有能夠緩解供給壓力的發展。

美光的競爭優勢更因在HBM4領域搶佔先機而增強。該公司領先同業開始量產出貨，並已取得主要AI加速器廠商的設計導入。每一代HBM都進一步提升每顆晶片的記憶體搭載量——HBM4的頻寬是HBM3e的兩倍以上，意味著每出貨一顆GPU，美光所獲得的營收都高於前一代。正是這種動能，將此輪週期與過去以出貨量而非單位搭載量驅動成長的記憶體榮景區分開來。

本益比差距反映結構性轉變

美光的追溯本益比為48倍，相較過去景氣低迷時期3.5至8倍的歷史區間看似昂貴。但這一倍數同時反映了立即性的獲利轉折點，以及市場正重新評估記憶體作為耐久性AI基礎設施、而非純粹大宗商品的角色轉變。

預期本益比9.5倍則呈現另一種面貌。輝達、博通與台積電在AI建設期均曾以25至30多倍的預期本益比交易。美光的折價顯示，市場尚未完全反映記憶體每晶片搭載量提升的結構性轉變，若獲利如預期實現，本益比仍有擴張空間。

風險在於，新建晶圓代工產能可能提前上線，或超大規模雲端業者放緩資料中心資本支出。任一情境都將壓縮毛利率與本益比至歷史均值。然而，考量HBM供貨至2026年已全數售罄，且多年合約提供營收能見度，短期前景依然正面。

對投資人而言，關鍵問題在於美光的預期本益比是否會在獲利逐步實現之際，朝AI同業水準靠攏。以預期本益比9.7倍來看，目前股價已反映了一個可能不會到來的週期性低迷——只要HBM每晶片搭載量持續攀升。如果市場給予美光甚至僅有輝達30多倍預期本益比的一半估值，該股股價在目前約1,076美元的水準仍有可觀的上漲空間。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。