美光科技已成為繼輝達與谷歌之後,美國第三大獲利公司,受AI驅動的高頻寬記憶體需求轉變其業務模式,創下282億美元的季度淨利紀錄。
美光科技已成為繼輝達與谷歌之後,美國第三大獲利公司,受AI驅動的高頻寬記憶體需求轉變其業務模式,創下282億美元的季度淨利紀錄。

美光科技已成為繼輝達與谷歌之後,美國第三大獲利公司,受AI驅動的高頻寬記憶體需求轉變其業務模式,創下282億美元的季度淨利紀錄。
美光科技上一季度淨利達282億美元——較去年同期成長超過三倍——大型科技公司在AI記憶體組件上的支出,將這家成立48年的晶片製造商變成了獲利機器。
「記憶體從未像今天這樣成為運算堆疊中如此有價值的部分,」美光全球營運執行副總裁 Manish Bhatia 表示。「輝達幾年前憑藉GPU迎來了它的AI時刻,而現在記憶體也有了屬於自己的時刻。」
截至5月28日的第三財季營收達到414.6億美元,優於市場共識的356.9億美元。非GAAP毛利率達到創紀錄的84.9%,超越輝達在2024年初約79%的峰值GPU毛利率。DRAM銷售貢獻313億美元,占總營收的76%,而NAND則貢獻了99億美元。調整後每股盈餘為25.11美元,優於預估的20.49美元。營運現金流為254億美元,產生了183億美元的自由現金流,兩者均創季度新高。
這些結果顯示記憶體產業出現結構性轉變,這個產業長期以來一直受景氣榮枯週期困擾。美光已簽署16項長期戰略客戶協議,涵蓋約20%的DRAM產能及三分之一的NAND產出,鎖定的最低合約營收約達一千億美元。包括AI超大規模運算商在內的客戶已存入220億美元的訂金,以確保供應至2030年。對於當前季度,美光預測營收為500億美元,毛利率為86%,執行長 Sanjay Mehrotra 表示供應緊張的狀況將持續「到2027日曆年之後」。
高頻寬記憶體(HBM)是一種特殊設計的DRAM,垂直堆疊在AI加速器旁,以極高速度將數據傳輸給GPU。與大宗記憶體不同,HBM享有溢價定價,並需要先進製造技術——TSV矽穿孔與先進封裝——這形成了高進入門檻。美光是全球僅三家能夠生產先進HBM的公司之一,另外兩家是三星電子和SK海力士。
供需失衡情況嚴峻。AI巨頭正支付溢價並提供多年期訂金,將先進生產線從通用型記憶體轉移出來。這產生了漣漪效應:大宗DRAM和NAND價格飆升,提高了智慧型手機製造商和個人電腦製造商的成本。根據 Counterpoint Research 的數據,對於一款配備16GB記憶體和512GB儲存空間的旗艦手機,記憶體組件成本每台已增加100至150美元。
記憶體價格飆升迫使手機製造商做出調整。OPPO、vivo、小米和榮耀在3月實施了分析師所稱五年來最大規模的集體漲價。蘋果執行長提姆·庫克向《華爾街日報》表示,漲價「無可避免」,並指出記憶體成本是主要驅動因素。高盛將2026年全球智慧型手機出貨量預測下調10%至11.4億支,其中200至600美元的中階市場受到的衝擊最為嚴重。
這與美光的命運形成鮮明對比。這家總部位於愛達荷州博伊西公司的股價在過去12個月內飆漲約812%,從52週低點103.38美元一路攀升至歷史新高1,089.29美元。財報發布後,該股在盤後交易中進一步上漲17%,使美光的市值達到約1.39兆美元。
美光的溢價估值反映了其結構性轉變。在追蹤該股的41位分析師中,32位給予強力買入評級,平均目標價為1,078美元。D.A. Davidson 設定了華爾街最高目標價2,000美元,認為記憶體週期「遠未結束」。摩根大通表示,轉向多年期客戶協議正在「從根本上改變」美光的獲利結構,使其週期性減弱,更接近基礎設施供應商。對投資者而言,關鍵問題在於目前的估值是否已充分反映了HBM的全部機遇——抑或是美光的新商業模式足以證明其估值能進行結構性重估,超越過往記憶體週期的歷史高點。
本文僅供資訊參考,不構成投資建議。