記憶體晶片價格Q2飆漲60% AI需求驅動創紀錄漲勢

DRAM和NAND合約價格在2026年第二季預計較上季上漲約60%，超越此前預測，因AI伺服器需求吸收了全球最大記憶體製造商的所有可用供應量。

「這波上升循環比我們三個月前模型預測的更為強勁，原因在於持續的AI伺服器採購和有限的晶圓產能，」Bernstein分析師Mark Li在6月2日的報告中表示。

DRAM合約價格加權平均上漲64%，其中行動DRAM飆升80%，消費性DRAM攀升85%。NAND價格上漲約60%，受行動NAND和SSD定價支撐。DDR4晶片價格在5月單月月增率達19%至25%。

此波價格飆漲推動美光科技（Micron Technology）市值首次突破一兆美元，SK海力士也加入兆元俱樂部。Bernstein維持對三星電子、SK海力士、美光和SanDisk的跑贏大盤評級，但警告消費需求破壞可能在下半年抑制價格增長。

伺服器需求吸收所有增量供應

伺服器DRAM仍是供需最緊張的領域。供應商已將產能從其他應用轉向伺服器DRAM，而HBM4量產延遲釋放了一些晶圓產能——但每一新增位元都被超大規模雲端業者需求吸收。包括亞馬遜雲端服務（AWS）和微軟Azure在內的美國雲端服務提供商已大體完成與記憶體廠商的長期協議談判，確保了優先配額。中國雲端服務提供商仍在積極談判中，預計將獲得較不利的條款。

行動DRAM價格漲幅最為劇烈，三星和美光要求智慧型手機OEM廠商接受超過80%的季增幅度。SK海力士初始報價較溫和，約55%至60%。但在連續兩季大幅漲價後，智慧型手機製造商正削減產量。TrendForce預計2026年智慧型手機出貨量將下滑16%，行動DRAM價格增長在下半年預計放緩至每季0%至10%。

NAND晶圓現貨價格5月月增率僅1%至2%，較此前數月急劇減速，因模組廠對在高位採購趨於謹慎。現貨價格仍較合約價格低約20%，顯示合約價格進一步上漲空間有限。PC DRAM第三季價格增長預計為季增8%至13%，遠低於第二季的46%漲幅。

估值折價浮現儘管價格創紀錄

儘管漲勢凌厲，記憶體股交易價格仍較大盤存在折價。美光遠期本益比為17倍，SanDisk為27倍，威騰電子（Western Digital）為31倍，而標普500指數本益比為23倍。瑞銀（UBS）將美光目標價從535美元上調至1625美元，意味著12個月內潛在市值可達1.8兆美元。巴克萊（Barclays）將SanDisk目標價倍增至2300美元。

Roundhill Memory ETF持有主要記憶體類股，自4月上市以來資產管理規模已飆升至150億美元，反映投資者對記憶體曝險的興趣。美光本財年營收預計達1100億美元，下一年達1750億美元，而SanDisk營收預計增長165%至200億美元。

Bernstein預計記憶體價格將在2027年下半年見頂，並於2028日曆年開始正常化，屆時新產能將陸續上線。主要風險在於，隨著製造商加緊生產以利用高價格，市場可能從供不應求轉向供過於求——這一模式在歷史上曾終結每一次記憶體上升循環。對投資者而言，問題在於當前的估值折價是否足以補償這一產業歷來固有的週期性風險。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。